반도체 용어 사전

인텔 14A공정

인텔이 개발 중인 차세대 반도체 제조 공정으로, 회로 선폭을 극도로 미세화해 성능과 전력 효율을 높이는 기술입니다.

구조 이해를 위한 개념도입니다. RibbonFET(게이트올어라운드 트랜지스터) 위에는 신호만 흐르는 전면 배선층을, 아래에는 소스·드레인에 직접 연결되는 PowerDirect 후면 전력 배선망을 배치해 실제 치수와 다르게 단순화했습니다.

참고: Intel 18A 공정 설명 · Intel 14A 공정 개요

최근 동향 (2026-08-30 기준, 언급 1회): 인텔이 14A 공정의 결함밀도 개선 속도가 빠르게 진행 중이라고 밝히며 양산 경쟁력 회복 가능성을 시사했습니다.

인듐 셀레나이드반도체

인듐과 셀레늄으로 이루어진 2차원 반도체 소재로, 실리콘을 대체할 차세대 반도체 물질로 주목받고 있습니다.

최근 동향 (2026-09-03 기준, 언급 1회): 연구진이 기존 인듐 셀레나이드의 한계를 극복해 대면적 구현과 논리회로 제작에 성공했다는 연구 결과가 발표되었습니다.

AI 기판

AI 서버·고성능 컴퓨팅에 사용되는 반도체 패키지 기판으로, 일반 기판보다 고밀도·고속 신호 전송이 요구되는 차세대 기판입니다.

최근 동향 (2026-09-03 기준, 언급 1회): 심텍이 청주 공장에 4000억원을 투자해 AI 기판 생산능력을 확대한다고 밝혔습니다.

유리기판

유리기판은 반도체 패키징에 사용되는 차세대 기판 소재로, 기존 플라스틱(ABF) 기판보다 열 변형이 적고 미세 회로 구현에 유리해 AI 반도체 등 고성능 칩에 적합합니다.

구조 이해를 위한 개념도입니다. 코어를 유기 소재 대신 유리로 바꾸면 열에 강해지고, 더 가는 배선을 구현할 수 있습니다.

참고: Electronics360 — Glass substrates in IC packaging

최근 동향 (2026-09-05 기준, 언급 1회): SKC가 자회사 앱솔릭스에 2810억원을 추가 출자하며 유리기판 사업화에 속도를 내고 있다는 소식이 보도되었습니다.

차세대 HBM

HBM(고대역폭 메모리)은 GPU 옆에 붙어 데이터를 빠르게 전달하는 메모리인데, 차세대 HBM은 여기서 한 발 더 나아가 메모리 안에서 직접 연산까지 처리할 수 있는 기술입니다.

작동 원리 이해를 위한 개념도입니다. 데이터를 GPU로 옮겨 계산하는 기존 방식과 달리, 차세대 HBM은 D램 뱅크 안에 연산기를 두어 그 자리에서 바로 계산합니다. 다만 HBM 자체는 크고 비싸고 전력도 많이 먹는 패키지라, “GPU 없이도 연산”이 된다고 해서 스마트폰 같은 온디바이스로 가는 게 아니라 — 서버·데이터센터의 AI 가속기 옆자리에 그대로 남아, GPU의 연산 부담을 일부 덜어주는 역할에 가깝습니다. 같은 PIM 원리를 온디바이스에 적용한 버전은 LPDDR5X-PIM이에요.

참고: 삼성전자 — 온디바이스 AI를 위한 메모리 발표

최근 동향 (2026-08-24 기준, 언급 1회): 삼성전자가 GPU 없이도 메모리 칩 자체에서 AI 연산을 수행할 수 있는 차세대 HBM을 공개하며 반도체 업계의 주목을 받았습니다.

DSP

반도체 칩 설계를 전문으로 대행해주는 회사로, 팹리스(설계 전문)와 파운드리(제조 전문) 사이에서 설계 서비스를 제공합니다.

최근 동향 (2026-08-24 기준, 언급 1회): 삼성 파운드리의 실적 회복 흐름을 타고 국내 DSP 5개사가 올해 반년 만에 지난해 연간 매출의 70%를 달성했다는 소식이 전해졌습니다.

Arm 기반 메인프레임

Arm은 저전력·고효율로 유명한 반도체 설계 아키텍처로, 기존 대형 서버(메인프레임)에 이를 탑재해 AI와 클라우드 처리 성능을 높이는 기술입니다.

최근 동향 (2026-08-25 기준, 언급 1회): IBM이 차세대 메인프레임에 Arm 아키텍처를 탑재한다고 발표하며, AI 및 클라우드 시장 공략을 강화하겠다는 전략을 공개했습니다.

LPDDR5X-PIM

스마트폰이나 PC에 쓰이는 저전력 D램 메모리 안에 AI 연산 기능을 내장한 차세대 반도체로, 별도 AI 칩 없이도 메모리 자체에서 AI 계산을 처리할 수 있습니다.

작동 원리 이해를 위한 개념도입니다. LPDDR5X-PIM도 같은 원리로, 각 D램 뱅크마다 작은 연산기(MAC)를 두어 GPU와 데이터를 주고받는 왕복 없이 뱅크 안에서 바로 계산합니다. 차세대 HBM과 원리는 똑같지만, LPDDR는 원래 스마트폰·PC에 쓰던 저전력·저비용 몸체라 이쪽이 실제로 온디바이스 AI를 겨냥한 버전이에요.

참고: Tom’s Hardware — Samsung LPDDR5X-PIM (Hot Chips 2026)

최근 동향 (2026-08-26 기준, 언급 2회): 삼성전자가 자사 AI PC 플랫폼 ‘가이아’에 LPDDR5X-PIM을 탑재해 AI PC 분야에서 PIM 기술을 세계 최초로 상용화했다고 발표했습니다.

포터블 SSD

휴대용 외장 저장장치로, 데이터를 빠르게 저장하고 이동할 수 있는 소형 반도체 저장 장치입니다.

구조 이해를 위한 개념도입니다. USB로 들어온 요청을 컨트롤러가 받아 D램 캐시의 주소표를 참고해 여러 NAND 플래시 칩에 나눠 저장합니다.

참고: ResearchGate — SSD Internal Architecture with Cache

최근 동향 (2026-08-26 기준, 언급 1회): 삼성전자가 기존 대비 속도가 2배 향상된 차세대 포터블 SSD 2종을 새롭게 공개했습니다.

HBM

HBM은 여러 개의 D램 칩을 수직으로 쌓아 데이터를 매우 빠르게 처리할 수 있도록 만든 고성능 메모리 반도체로, AI 연산에 필수적인 부품입니다.

최근 동향 (2026-08-27 기준, 언급 1회): 티에스이가 차세대 HBM에 적층 D램 테스트 기술을 도입한다고 발표하며, HBM 품질 검증 기술 고도화가 주목받고 있습니다.

(근거 기사 링크는 봇의 링크 오배정 버그로 유실되어 제거했습니다 — 2026-09-03 정정)

NVHBM

엔비디아가 AI 연산에 최적화해 자체 설계한 고대역폭 메모리로, 기존 HBM보다 AI 워크로드에 더 특화된 차세대 메모리입니다.

최근 동향 (2026-08-27 기준, 언급 1회): 엔비디아가 AI 가속기에 탑재할 자체 맞춤형 메모리 ‘NVHBM’을 공개하며 메모리 시장의 판도 변화에 관심이 집중되고 있습니다.

HBC

HBC는 HBM(고대역폭 메모리)의 대안으로 개발 중인 고속 캐시 메모리 기술로, 기존 HBM보다 낮은 비용으로 높은 대역폭을 제공하는 것을 목표로 합니다.

최근 동향 (2026-08-27 기준, 언급 1회): 퀄컴이 삼성전자·SK하이닉스의 HBC 개발에 적극 참여 의사를 밝히며 HBM과 병행 개발하겠다고 발표해 주목받고 있습니다.

HBM4E

HBM4E는 고대역폭 메모리(HBM)의 차세대 규격으로, AI 가속기 등 고성능 컴퓨팅에 사용되는 초고속·고용량 적층형 메모리 반도체입니다.

최근 동향 (2026-08-28 기준, 언급 1회): SK하이닉스가 미국 인디애나주에 건설 중인 첨단 패키징 공장에서 HBM4E를 2029년 3분기 양산 목표로 생산할 계획이라고 밝혔습니다.

(근거 기사 링크는 봇의 링크 오배정 버그로 유실되어 제거했습니다 — 2026-09-03 정정)

ZHBM

ZHBM은 차세대 고대역폭 메모리(HBM)의 미래 규격으로, AI 칩 설계의 중심축으로 메모리가 부상하는 흐름을 상징하는 기술입니다.

최근 동향 (2026-08-28 기준, 언급 1회): 삼성이 ZHBM을 2029년 이후 출시할 계획을 밝히며, 메모리가 AI 칩 설계의 핵심이 될 것이라고 선언해 주목받고 있습니다.

AI SoC

AI SoC(System on Chip)는 AI 연산에 필요한 프로세서, 메모리, 통신 등 여러 기능을 하나의 칩에 통합한 반도체로, 스마트홈·온디바이스 AI 기기에 주로 사용됩니다.

구조 이해를 위한 개념도입니다. CPU·GPU·NPU·메모리 컨트롤러·통신 블록이 온칩 버스로 서로 연결되어 칩 하나에 다 들어있습니다.

최근 동향 (2026-08-31 기준, 언급 1회): 코아시아세미가 LG전자 주도의 ‘K-온디바이스 AI 홈’ 프로젝트에 참여해 AI SoC 2종을 개발한다고 발표했습니다.

3D 적층 메모리

HBM(고대역폭 메모리)을 수평으로 배치하는 기존 방식 대신 수직으로 쌓아 올려 더 높은 용량과 성능을 구현하는 차세대 메모리 적층 기술입니다.

최근 동향 (2026-09-01 기준, 언급 1회): 삼성전자가 ‘3D 적층 메모리’ 선점을 위한 ‘CUBE’ 전략을 공개하며 메모리 한계를 돌파하겠다고 발표했습니다.

(근거 기사 링크는 봇의 링크 오배정 버그로 유실되어 제거했습니다 — 2026-09-03 정정)

아드레노 뉴럴 퓨전

퀄컴이 새롭게 공개한 모바일 GPU 아키텍처 기술로, GPU와 NPU(신경망처리장치)의 연산을 융합해 AI 및 그래픽 처리 성능을 크게 높이는 설계 방식입니다.

최근 동향 (2026-09-04 기준, 언급 1회): 퀄컴이 ‘아드레노 뉴럴 퓨전’을 발표하며 모바일 GPU 아키텍처를 대대적으로 개편한다는 소식이 오늘 보도되었습니다.

HBM4 베이스 다이

HBM4는 차세대 고대역폭 메모리(HBM)로, ‘베이스 다이’는 여러 메모리 칩을 쌓아 올리는 HBM 구조에서 맨 아래에 위치해 데이터를 제어하는 핵심 기반 칩입니다.

최근 동향 (2026-09-07 기준, 언급 1회): 삼성 파운드리가 HBM4 생산 확대에 총력을 기울이며, 4나노 공정 생산 능력의 절반을 HBM4 베이스 다이 제조에 투입하고 있다는 소식이 보도되었습니다.

AI GPU 전력제어

AI 연산에 사용되는 GPU(그래픽처리장치)의 전력을 효율적으로 조절하는 기술로, 고성능 AI 칩이 소비하는 막대한 전력을 안정적으로 관리하기 위해 필수적입니다.

최근 동향 (2026-08-25 기준, 언급 1회): 인피니언 테크놀로지스가 AI GPU 전력제어 역량을 강화하기 위해 인도 스타트업 C2i를 인수하며 시장 공략에 나섰습니다.

(근거 기사 링크는 봇의 링크 오배정 버그로 유실되어 제거했습니다 — 2026-09-03 정정)

QD-OLED

퀀텀닷(QD) 소재와 OLED를 결합한 디스플레이 기술로, 기존 OLED보다 색재현율과 밝기가 뛰어난 차세대 패널입니다.

구조 이해를 위한 개념도입니다. QD-OLED는 블루 OLED 빛을 퀀텀닷이 직접 빨강·초록으로 바꿔주고, WOLED는 화이트 OLED 빛을 컬러필터가 걸러냅니다.

참고: How-To Geek — QD-OLED vs WOLED

최근 동향 (2026-08-27 기준, 언급 1회): 삼성디스플레이가 24.5인치 QD-OLED 패널을 연내 양산한다고 발표해 게이밍 모니터 시장 공략에 나섭니다.

(근거 기사 링크는 봇의 링크 오배정 버그로 유실되어 제거했습니다 — 2026-09-03 정정)

듀얼 UTG 폴더블폰

UTG(Ultra Thin Glass)를 두 겹으로 적용한 폴더블 스마트폰 디스플레이 구조로, 내구성과 화면 품질을 동시에 높이는 기술입니다.

구조 이해를 위한 개념도입니다. OLED 패널 위아래로 초박형 유리를 한 장씩 덧대, 위층은 충격을, 아래층은 접히는 힌지 부분의 응력을 분산시킵니다.

참고: The Elec — Google, Oppo, Vivo의 듀얼 UTG 채택

최근 동향 (2026-09-02 기준, 언급 1회): 구글·오포·비보 등 주요 스마트폰 제조사들이 듀얼 UTG를 적용한 폴더블폰을 잇달아 출시할 예정이라고 보도되었습니다.

(근거 기사 링크는 봇의 링크 오배정 버그로 유실되어 제거했습니다 — 2026-09-03 정정)

RGB OLEDoS

OLEDoS(OLED on Silicon)는 실리콘 웨이퍼 위에 OLED를 직접 증착한 초소형 고해상도 디스플레이 패널로, XR·AR 기기 등에 활용됩니다. RGB OLEDoS는 적·녹·청 색상을 각각 별도로 구현해 색재현력과 효율이 뛰어납니다.

최근 동향 (2026-09-15 기준, 언급 1회): 삼성디스플레이가 12인치 RGB OLEDoS 양산을 위해 3000억 원을 투자한다고 발표하며 차세대 디스플레이 시장 선점에 나섰습니다.

하이 EUV

하이 EUV는 기존 EUV 장비보다 렌즈의 개구수(NA)를 높여 더 미세한 회로 패턴을 구현할 수 있는 차세대 반도체 노광 장비입니다. ASML이 개발한 이 장비는 차세대 D램 및 로직 반도체 제조에 핵심 기술로 주목받고 있습니다.

작동 원리 이해를 위한 개념도입니다. 빛이 광원 → 반사경 → 레티클 → 비대칭 축소 광학계 → 웨이퍼 순으로 지나가며, 기존 EUV보다 개구수(NA)와 축소 배율이 달라 더 작은 패턴을 찍을 수 있습니다.

참고: ASML — High-NA EUV에 대해 알아야 할 5가지

최근 동향 (2026-09-09 기준, 언급 1회): 삼성전자가 ASML의 하이 EUV 장비를 D램 제조 공정에 도입하기로 하면서, 차세대 메모리 반도체 경쟁력 강화를 위한 핵심 기술 협력이 뉴스에 등장했습니다.

유리기판 TGV 도금·접착 기술

TGV(Through Glass Via)는 유리기판에 미세한 구멍을 뚫어 전기 신호를 위아래로 연결하는 차세대 반도체 패키징 핵심 기술입니다. 기존 실리콘 기판 대비 신호 손실이 적고 고밀도 집적에 유리합니다.

구조 이해를 위한 개념도입니다. 오른쪽 유리기판 그림의 파란 세로선이 TGV예요 — 유리를 미세하게 뚫고 도금해 위아래 배선층을 전기적으로 잇습니다.

참고: Electronics360 — Glass substrates in IC packaging

최근 동향 (2026-09-10 기준, 언급 1회): 오알켐이 유리기판 TGV 도금 및 접착 기술을 공개하며 차세대 반도체 패키징 소재 시장 공략에 나섰습니다.

솔더볼

솔더볼은 반도체 패키지와 기판을 전기적·기계적으로 연결하는 작은 금속 구형 접합 소재로, 전자기기의 신뢰성에 필수적인 부품입니다.

최근 동향 (2026-09-10 기준, 언급 1회): 덕산하이메탈이 글로벌 1위 솔더볼 기술력을 공개하며 시장 경쟁력을 부각시켰습니다.

2.1D 패키징 / 오가닉 브릿지

2.1D 패키징은 여러 칩을 하나의 기판 위에 가깝게 배치하고 유기(오가닉) 소재 브릿지로 연결해 고속 데이터 전송을 구현하는 첨단 반도체 패키징 기술입니다. 기존 2D보다 집적도가 높고 3D보다 공정이 단순한 중간 단계 방식입니다.

구조 이해를 위한 개념도입니다. 두 다이가 유기 소재 브릿지 위에 미세피치 범프로 놓이고, 다이 사이 구간에 고밀도 배선이 몰려 있으며, 브릿지가 다시 표준피치 범프로 패키지 기판에 연결됩니다.

참고: IMAPS — 2.1D 패키징용 오가닉 인터포저 논문

최근 동향 (2026-09-14 기준, 언급 1회): 삼성전기와 퀄컴이 오가닉 브릿지 기반의 2.1D 패키징 기술을 공동 개발하기로 동맹을 맺었다는 소식이 오늘 보도되었습니다.

RF GaN 반도체

RF GaN 반도체는 질화갈륨(GaN) 소재를 이용해 고주파(RF) 신호를 처리하는 반도체로, 높은 출력과 효율 덕분에 방산·통신 분야에서 주목받는 차세대 부품입니다.

최근 동향 (2026-09-15 기준, 언급 1회): 국내 반도체 기업 웨이비스가 방위산업용 RF GaN 반도체 개발을 본격화한다고 밝히며 관련 시장 진출 계획을 공개했습니다.

• 2026-09-17: 기사 보기

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